固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

以支持高频功率控制。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、负载是否具有电阻性，无需在隔离侧使用单独的电源，并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。如果负载是感性的，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而实现高功率和高压SSR。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。并为负载提供直流电源。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，以及工业和军事应用。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，因此设计简单？如果是电容式的，在MOSFET关断期间，

此外，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，通风和空调 （HVAC） 设备、（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。工业过程控制、涵盖白色家电、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，该技术与标准CMOS处理兼容，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以满足各种应用和作环境的特定需求。